销售热线

13357726918
主营产品:实验室装修,实验室设计,洁净室
  • 技术文章ARTICLE

    您当前的位置:首页 > 技术文章 > 半导体芯片生产工艺流程

    半导体芯片生产工艺流程

    发布时间: 2024-04-08  点击次数: 885次

     

    半导体芯片是现代电子产品的核心组成部分,其生产工艺涉及多个环节,包括光刻、腐蚀、离子注入等。博泰小编带大家了解半导体芯片生产的整个流程。

     

    一、清洗

    芯片在加工前需进行清洗,清洗设备通常为栅氧化清洗机和氧化扩散清洗机。

     

    二、氧化

    氧化过程就是把清洗干净,通过离心甩干的硅片板送入高温炉管内进行退火处理,炉管内温度800-1500℃。

     

    三、淀积

    淀积系统就是在硅片表面形成具有良好的台阶覆盖能力、良好的接触及均匀的高质量金属薄膜的设备系统。


    四、光刻

    在硅晶片涂上光致蚀剂,使得其遇紫外光就会溶解,在光刻机的曝光作用下,紫外光直射的部分被溶解,用溶剂将其冲走。

     

    五、刻蚀

    以化学蚀刻的方法或用干法氧化法,去除氨化硅和去掉经上几道工序加工后,在硅片表面因加工应力而产生的一层损伤层的过程。

     

    六、二次清洗

    将加工完成的硅片需要再次经过强酸碱清洗、甩干,去除硅片板上的光刻胶。

     

    七、离子注入

    将刻蚀后的芯片放入大束、中束流注入机将硼离子(B+3)透过Si02膜注入衬底,形成P型阱。去除氨化硅层,掺杂磷(P+5)离子,形成N型阱。

     

    八、快速退火

    从离子注入机中取出硅片放入快速退火炉中进行退火处理,去除Si02层,与离子注入工艺根据需要反复循环进行。

     

    九、蒸镀

    薄膜的沉积方法根据其用途的不同而不一样,厚度通常小于1um,分真空蒸发法和溅镀法。

     

    十、检测

    检测就是进行全面的检验以保证产品最终达到规定的尺寸、形状、表面光洁度、平整度等技术指标。

     

     

     

    3bec3cd77b1949480727f5c29222f6fb.jpeg